支持TD-LTE研发和产业化是专项三重点任务之一。TD-LTE基带芯片是产业链薄弱环节，经过产业界各方努力和推动，取得积极进展。TD-LTE规模试验、扩大规模试验表明，终端芯片及数据类终端实现了较好的功能、性能和稳定性，重点攻克了TD-LTE/TD-SCDMA/GSM多模多频基带芯片及数据类终端的开发，并成功进入中国移动集采和日本软银市场。
      在研发过程中，课题承担单位注重创新，研制TD-LTE/TD-SCDMA/GSM的多模芯片方案，实现国际主流的40nm流片，支持TD-LTE与TD-SCDMA的无缝漫游、重选和切换、支持祖冲之加密算法、Category 4高速速率及多天线模式模式8波束技术。形成上百项专利，新增产值81846万元。
     TD-LTE面向商用的基带芯片产业化工作，为我国自主知识产权的多模基带芯片的商用打下基础；为国家发放TD-LTE牌照后，国内基带芯片产业的蓬勃发展提供了有力保障。